GRUPO DE SEMICONDUCTORES NANOESTRUCTURADOS

INSTITUTO DE DESARROLLO TECNOLÓGICO PARA LA INDUSTRIA QUÍMICA (INTEC-CONICET-UNL)

Güemes 3450 - Santa Fe - Argentina

 

El grupo de física de semiconductores del INTEC trabaja en temas relacionados con propiedades ópticas, estructurales y de transporte electrónico de películas delgadas de semiconductores amorfos, micro y nanocristalinos con interés fotovoltaico desde el año 1980.

Desde el año 2003 comenzamos una nueva línea relacionada con el silicio poroso nanoestructurado.

los investigadores relacionados con este tema en el grupo son:

Dr. Roberto R. Koropecki (Responsable) (mail) 

Dr. Roberto D Arce. (mail)

Dr. Javier A Schmidt. (mail)

2 BECAS ANPCyT  OFRECIDAS: 

Ver el indice abajo para detalles del tipo de trabajo relacionado con los temas de beca

Cierre del concurso:02/02/2008

Inicio de actividades 01/03/2008

-Beca 1--- Beca 2-

Consultar: rkoro@intec.ceride.gov.ar

 

Publicaciones en el tema (desde 2003):

 

  • "Role of hydrogen in the photoinduced evolution of porous silicon luminescence", R.R. Koropecki, R. Arce, C. Spies, A. M. Gennaro,    J.A. Schmidt. - Physica Status Solidi c, 4, 2150 (2007).
  • "Hydrogen isotopic substitution experiments in nanostructured porous silicon", W.D. Palacios, R.R. Koropecki, R.D. Arce, A. Busso. - Thin Solid Films, En Prensa.
  • "Kinetics of the photoinduced evolution of the nanostructured porous silicon photoluminescence", R.R. Koropecki, R.D. Arce, A.M. Gennaro, C. Spies, J.A. Schmidt. J. Non Cryst. Solids 352, 1163 (2006)
  • "Photoinduced phenomena in nanostructured porous silicon", R.D. Arce a, R.R. Koropecki, G. Olmos, A.M. Gennaro, J.A. Schmidt. Thin Solid Films, 510, 169 (2006).
  • "Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado- influencia de la iluminación durante la preparación",C. Spies, R.R. Koropecki, A.M. Gennaro, R.D. Arce, J.A. Schmidt. Anales AFA, 17, 182 (2005)
  • "Experimentos de sustitución isotópica en la preparación de silicio poroso nanoestructurado", W.D. Palacios, R.R. Koropecki, R.D. Arce, A. Busso. Anales AFA, 17, 187 (2005)
  • "Infrared studies combined with hydrogen effusion experiments on nanostructured porous silicon.", R.R. Koropecki, R.D. Arce, J.A. Schmidt. J. Non Cryst. Solids, 338, 159 (2004).
  • "Photo-oxidation effects in porous silicon luminescence", R.R. Koropecki, R.D. Arce, J.A. Schmidt. Phys. Rev. B 69, 53171 (2004).
  • "Decaimiento de la fotoluminiscencia en silicio poroso nanoestructurado obtenido a partir de material tipo n de alta resistividad.", G. Olmos, C. Spies, R.R. Koropecki, R.D. Arce, J.A. Schmidt, Anales AFA, 16, 161 (2004).
  • "Evolución fotoinducida de la luminiscencia en silicio poroso", R.R. Koropecki, R.D. Arce, J.A. Schmidt. Anales AFA, 15, 185 (2003)
INDICE:
El Silicio Poroso 
Multicapas de Silicio Poroso (reflectores de Bragg)
Sensores Químicos Fotónicos
Microcavidades Opticas y otros Dispositivos Fotónicos
Silicio Macroporoso
Envejecimiento y Efectos Fotoinducidos

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